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集成電路制造工藝員（三級）單項選擇題每日一練(2019.01.15)
單項選擇題
單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。
A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅
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單項選擇題
請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
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單項選擇題
檢驗水中是否有鹽酸，可用（）溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。
A.氧化銅
B.硝酸鎂
C.硝酸銀
D.氯化銅
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單項選擇題
請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱：（）。
A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide
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單項選擇題
對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴散
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