A.HCl B.H2SO4(濃) C.HF D.HNO3(濃)
A.C原子電負(fù)性小易給出孤對電子 B.C原子外層有空d軌道易形成反饋鍵 C.CO的活化能比N2低 D.在CO中由于C-←O+配鍵的形成,使C原子負(fù)電荷偏多,加強(qiáng)了CO與金屬的配位能力
A.C原子外層4個電子易得或易失形成C4-或C4+ B.C形成的最大共價數(shù)為2 C.C單質(zhì)的化學(xué)活性較Si,B活潑 D.C原子半徑小,自鏈成鍵不受孤對電子鍵弱化效應(yīng)的影響