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【計(jì)算題】光均勻照射在6Ω·cm的n型Si樣品上,電子-空穴對的產(chǎn)生率為4×10
21
cm
-3
s
-1
,樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。
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