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缺陷按照組成的化學(xué)計量比,可分為整比缺陷和非整比缺陷,但無論哪種都可改變晶體的組成。
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只有在形成分子的過程中才會發(fā)生原子軌道的雜化,孤立原子不發(fā)生雜化。
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一般環(huán)境溫度越高,充電效率和放電效率均高。
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