單項(xiàng)選擇題

SiHCl₃還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制（）。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑，可降低溫度

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單項(xiàng)選擇題

下面不是制造非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

單項(xiàng)選擇題

薄膜光伏電池制備工藝中，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀法的英文縮寫(xiě)是（）

A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD

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