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填空題
為提高跨導(dǎo)g的截止角頻率ω,應(yīng)當(dāng)()μ,()L,()V。
答案:
增大;減??;增大
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填空題
MOSFET的跨導(dǎo)的定義是(),反映了()對(duì)()的控制能力。
答案:
轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率;柵源電壓;漏極電流
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填空題
由于源、漏區(qū)的摻雜濃度()于溝道區(qū)的摻雜濃度,所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向()區(qū)擴(kuò)展,使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題()。
答案:
大;襯底;嚴(yán)重
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