問答題

【簡答題】解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢？

答案： 高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備...
題目列表

你可能感興趣的試題

問答題

【簡答題】CVD過程中采用等離子體的優(yōu)點有哪些？
答案： 1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
...
問答題

【簡答題】沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個原因。
答案： 采用LPCVD工具；
1.通過摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
3....
微信掃碼免費搜題