問答題

【計算題】求室溫下?lián)戒R的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2時銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。

答案：

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【計算題】摻磷的n型硅，已知磷的電離能為0.044eV，求室溫下雜質(zhì)一半電離時費(fèi)米能級的位置和濃度。

答案：

【計算題】施主濃度為10¹³cm³的n型硅，計算400K時本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級的位置。

答案：