當光從折射率為的介質入射到折射率為n2的介質時,對應的布儒斯特角ib為()。
A.A B.B C.C D.D
一根半徑為R的實心長直導線均勻通有電流I,作一寬為R,長為L的假想平面S,如圖所示。若假想平面S可在導線直 徑與軸OO′所確定的平面內離開OO′移動至遠處,試求當通過S面的磁通量為最大值時,S平面的位置。(設直導線內電流均勻分布,且導線內半徑r處的磁感應強度
A.位移電流是由變化的電場產生的 B.位移電流是由變化的磁場產生的 C.位移電流的熱效應服從焦耳—楞次定律 D.位移電流的磁效應不服從安培環(huán)路定律