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填空題
肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結(jié)的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導(dǎo)體襯底實(shí)現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。
答案：
二極管特性；金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體表面功函數(shù)；線性；歐姆接觸；1020/cm3
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填空題
金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度 低于（）時(shí)，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度 高于（）時(shí) 可實(shí)現(xiàn)（）。
答案：
肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸；1017/cm3；肖特基接觸；1020/cm3；歐姆接觸
填空題
半導(dǎo)體器件隔離的種類(lèi)有：（）；（）和（）三種。P-N結(jié)隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場(chǎng)區(qū)氧化層采用（）工藝生長(zhǎng)。
答案：
P-N結(jié)隔離；介質(zhì)隔離；溝槽隔離；低密度、低成本；介質(zhì)；局部氧化（LOCOS）
