電磁場(chǎng)理論章節(jié)練習(xí)(2019.09.28)

單項(xiàng)選擇題
矢量磁位的旋度等于（）
A.磁化強(qiáng)度
B.磁場(chǎng)強(qiáng)度
C.磁感應(yīng)強(qiáng)度
D.電流密度
填空題
磁場(chǎng)具有能量，磁場(chǎng)中單位體積所具有的能量叫能量密度，其值為，式中B是磁感應(yīng)強(qiáng)度，μ是磁導(dǎo)率，在空氣中μ為一常量。為了近似測(cè)得條形磁鐵磁極端面附近的磁感應(yīng)強(qiáng)度B，一學(xué)生用一根端面積為A的條形磁鐵吸住一相同面積的鐵片P，再用力將鐵片與磁鐵拉開一段微小距離Δl，并測(cè)出拉力F，如圖，因?yàn)樗鞯墓Φ扔陂g隙中磁場(chǎng)的能量，所以由此可得磁感應(yīng)強(qiáng)度B與F、A之間的關(guān)系為B=（）
答案：
填空題
恒定電場(chǎng)中，局外電場(chǎng)強(qiáng)度從電源的負(fù)極到正極的線積分等于電源的（）。
答案：電動(dòng)勢(shì)
問(wèn)答題
在無(wú)限大接地導(dǎo)體平板兩側(cè)各有一個(gè)點(diǎn)電荷q1和q2，與導(dǎo)體平板的距離均為d，求空間的電位分布。
答案：設(shè)接地平板及q₁和q₂如圖（a）所示。選一直角坐標(biāo)系，使得z軸經(jīng)過(guò)q
單項(xiàng)選擇題
恒定電場(chǎng)中的電流連續(xù)性方程反映了（）
A.電荷守恒定律
B.歐姆定律
C.基爾霍夫電壓定律
D.焦耳定律
問(wèn)答題
簡(jiǎn)要說(shuō)明鏡像法的基本思想及鏡像電荷選擇的原則。
答案：（1）鏡像法的基本思想是用位于場(chǎng)域邊界外虛設(shè)的較為簡(jiǎn)單的鏡像電荷（或電流）來(lái)等效替代該邊界上未知的較為復(fù)雜的感應(yīng)電荷（或...
問(wèn)答題
已知在某一理想電介質(zhì)（參數(shù)為γ=0，ε=4ε0，μ=5μ0）中的位移電流密度為2cos（ωt-5z）exμA/m2。求（1）該媒質(zhì)中的D和E；（2）該媒質(zhì)中的B和H。
答案：
判斷題
靜電場(chǎng)的邊值問(wèn)題，在每一類的邊界條件下，泊松方程或拉普拉斯方程的解都是唯一的。
答案：正確
單項(xiàng)選擇題
如圖所示，一矩形線框，從abcd位置移動(dòng)到a′b′c′d′位置的過(guò)程中，關(guān)于穿過(guò)線框的磁通量情況下列敘述正確的是（線框平行于紙面移動(dòng)）（）
A.一直增加
B.一直減少
C.先增加后減少
D.先增加，再減少直到零，然后再增加，然后再減少
問(wèn)答題
一半徑為a的導(dǎo)體球帶凈電量為q，以角速度ω繞它的直徑旋轉(zhuǎn)，求磁矩。
答案：

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電磁場(chǎng)理論章節(jié)練習(xí)(2019.09.28)

矢量磁位的旋度等于（）

恒定電場(chǎng)中，局外電場(chǎng)強(qiáng)度從電源的負(fù)極到正極的線積分等于電源的（）。

在無(wú)限大接地導(dǎo)體平板兩側(cè)各有一個(gè)點(diǎn)電荷q1和q2，與導(dǎo)體平板的距離均為d，求空間的電位分布。

恒定電場(chǎng)中的電流連續(xù)性方程反映了（）

簡(jiǎn)要說(shuō)明鏡像法的基本思想及鏡像電荷選擇的原則。

已知在某一理想電介質(zhì)（參數(shù)為γ=0，ε=4ε0，μ=5μ0）中的位移電流密度為2cos（ωt-5z）exμA/m2。求（1）該媒質(zhì)中的D和E；（2）該媒質(zhì)中的B和H。

靜電場(chǎng)的邊值問(wèn)題，在每一類的邊界條件下，泊松方程或拉普拉斯方程的解都是唯一的。

如圖所示，一矩形線框，從abcd位置移動(dòng)到a′b′c′d′位置的過(guò)程中，關(guān)于穿過(guò)線框的磁通量情況下列敘述正確的是（線框平行于紙面移動(dòng)）（）

一半徑為a的導(dǎo)體球帶凈電量為q，以角速度ω繞它的直徑旋轉(zhuǎn)，求磁矩。

電磁場(chǎng)理論章節(jié)練習(xí)(2019.09.28)

矢量磁位的旋度等于（）

恒定電場(chǎng)中，局外電場(chǎng)強(qiáng)度從電源的負(fù)極到正極的線積分等于電源的（）。

在無(wú)限大接地導(dǎo)體平板兩側(cè)各有一個(gè)點(diǎn)電荷q1和q2，與導(dǎo)體平板的距離均為d，求空間的電位分布。

恒定電場(chǎng)中的電流連續(xù)性方程反映了（）

簡(jiǎn)要說(shuō)明鏡像法的基本思想及鏡像電荷選擇的原則。

已知在某一理想電介質(zhì)（參數(shù)為γ=0，ε=4ε0，μ=5μ0）中的位移電流密度為2cos（ωt-5z）exμA/m2。求（1）該媒質(zhì)中的D和E；（2）該媒質(zhì)中的B和H。

靜電場(chǎng)的邊值問(wèn)題，在每一類的邊界條件下，泊松方程或拉普拉斯方程的解都是唯一的。

如圖所示，一矩形線框，從abcd位置移動(dòng)到a′b′c′d′位置的過(guò)程中，關(guān)于穿過(guò)線框的磁通量情況下列敘述正確的是（線框平行于紙面移動(dòng)）（）

一半徑為a的導(dǎo)體球帶凈電量為q，以角速度ω繞它的直徑旋轉(zhuǎn)，求磁矩。

恒定電場(chǎng)中，局外電場(chǎng)強(qiáng)度從電源的負(fù)極到正極的線積分等于電源的（）。

在無(wú)限大接地導(dǎo)體平板兩側(cè)各有一個(gè)點(diǎn)電荷q1和q2，與導(dǎo)體平板的距離均為d，求空間的電位分布。

已知在某一理想電介質(zhì)（參數(shù)為γ=0，ε=4ε0，μ=5μ0）中的位移電流密度為2cos（ωt-5z）exμA/m2。求（1）該媒質(zhì)中的D和E；（2）該媒質(zhì)中的B和H。

靜電場(chǎng)的邊值問(wèn)題，在每一類的邊界條件下，泊松方程或拉普拉斯方程的解都是唯一的。

如圖所示，一矩形線框，從abcd位置移動(dòng)到a′b′c′d′位置的過(guò)程中，關(guān)于穿過(guò)線框的磁通量情況下列敘述正確的是（線框平行于紙面移動(dòng)）（）

一半徑為a的導(dǎo)體球帶凈電量為q，以角速度ω繞它的直徑旋轉(zhuǎn)，求磁矩。