物理學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.28)

問(wèn)答題
一球形電容器，在外球殼半徑b及內(nèi)外導(dǎo)體間的電勢(shì)差U維持恒定的條件下，內(nèi)球半徑a為多大時(shí)才能使內(nèi)球表面附近的電場(chǎng)強(qiáng)度最?。坎⑶蟪鲞@個(gè)最小電場(chǎng)的大小。
答案：
判斷題
關(guān)于概率波的統(tǒng)計(jì)解釋是：在某一時(shí)刻，在空間某一地點(diǎn)，粒子出現(xiàn)的概率正比于該時(shí)刻、該地點(diǎn)的波函數(shù)。
答案：錯(cuò)誤
填空題
光在真空中的波長(zhǎng)為λ，在折射率為n的介質(zhì)中的光速為v，這種光的頻率為（）。
答案：nv/λ
多項(xiàng)選擇題
信息技術(shù)的三大支柱是（）。
A.傳感技術(shù)
B.遙感技術(shù)
C.通信技術(shù)
D.計(jì)算機(jī)技術(shù)
問(wèn)答題
試用高斯定理求P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。
答案：
填空題
如圖所示，用白光垂直照射厚度d=400nm的薄膜，若薄膜的折射率為n2=1.40，且n1>n2>n3，則反射光中（）nm，波長(zhǎng)的可見(jiàn)光得到加強(qiáng)，透射光中（）nm和（）nm可見(jiàn)光得到加強(qiáng)。
答案：560nm；747nm；448nm
單項(xiàng)選擇題
在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，B的大小以速率dB/dt變化。在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn)，其間可放直導(dǎo)線和彎曲的導(dǎo)線AB，則（）
A.
B.
C.
D.
問(wèn)答題
可見(jiàn)光的平均波長(zhǎng)大約為500nm，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，以此波長(zhǎng)為邊長(zhǎng)的立方體內(nèi)有多少個(gè)分子？
答案：
單項(xiàng)選擇題
折射球面的物、象方折射率分別為n和n′，若物、象距分別為s和s′，系統(tǒng)的縱向放大率為（）。
A.
B.
C.
D.
單項(xiàng)選擇題
我們地球表面時(shí)間變慢效應(yīng)與太空比較在量級(jí)上差多少（）
A、十的負(fù)十次方
B、十的負(fù)九次方
C、十的負(fù)八次方
D、十的負(fù)七次方

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物理學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.28)

一球形電容器，在外球殼半徑b及內(nèi)外導(dǎo)體間的電勢(shì)差U維持恒定的條件下，內(nèi)球半徑a為多大時(shí)才能使內(nèi)球表面附近的電場(chǎng)強(qiáng)度最?。坎⑶蟪鲞@個(gè)最小電場(chǎng)的大小。

關(guān)于概率波的統(tǒng)計(jì)解釋是：在某一時(shí)刻，在空間某一地點(diǎn)，粒子出現(xiàn)的概率正比于該時(shí)刻、該地點(diǎn)的波函數(shù)。

光在真空中的波長(zhǎng)為λ，在折射率為n的介質(zhì)中的光速為v，這種光的頻率為（）。

信息技術(shù)的三大支柱是（）。

試用高斯定理求P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。

如圖所示，用白光垂直照射厚度d=400nm的薄膜，若薄膜的折射率為n2=1.40，且n1>n2>n3，則反射光中（）nm，波長(zhǎng)的可見(jiàn)光得到加強(qiáng)，透射光中（）nm和（）nm可見(jiàn)光得到加強(qiáng)。

在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，B的大小以速率dB/dt變化。在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn)，其間可放直導(dǎo)線和彎曲的導(dǎo)線AB，則（）

可見(jiàn)光的平均波長(zhǎng)大約為500nm，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，以此波長(zhǎng)為邊長(zhǎng)的立方體內(nèi)有多少個(gè)分子？

折射球面的物、象方折射率分別為n和n′，若物、象距分別為s和s′，系統(tǒng)的縱向放大率為（）。

我們地球表面時(shí)間變慢效應(yīng)與太空比較在量級(jí)上差多少（）

物理學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.11.28)

一球形電容器，在外球殼半徑b及內(nèi)外導(dǎo)體間的電勢(shì)差U維持恒定的條件下，內(nèi)球半徑a為多大時(shí)才能使內(nèi)球表面附近的電場(chǎng)強(qiáng)度最?。坎⑶蟪鲞@個(gè)最小電場(chǎng)的大小。

關(guān)于概率波的統(tǒng)計(jì)解釋是：在某一時(shí)刻，在空間某一地點(diǎn)，粒子出現(xiàn)的概率正比于該時(shí)刻、該地點(diǎn)的波函數(shù)。

光在真空中的波長(zhǎng)為λ，在折射率為n的介質(zhì)中的光速為v，這種光的頻率為（）。

信息技術(shù)的三大支柱是（）。

試用高斯定理求P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。

如圖所示，用白光垂直照射厚度d=400nm的薄膜，若薄膜的折射率為n2=1.40，且n1>n2>n3，則反射光中（）nm，波長(zhǎng)的可見(jiàn)光得到加強(qiáng)，透射光中（）nm和（）nm可見(jiàn)光得到加強(qiáng)。

在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，B的大小以速率dB/dt變化。在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn)，其間可放直導(dǎo)線和彎曲的導(dǎo)線AB，則（）

可見(jiàn)光的平均波長(zhǎng)大約為500nm，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，以此波長(zhǎng)為邊長(zhǎng)的立方體內(nèi)有多少個(gè)分子？

折射球面的物、象方折射率分別為n和n′，若物、象距分別為s和s′，系統(tǒng)的縱向放大率為（）。

我們地球表面時(shí)間變慢效應(yīng)與太空比較在量級(jí)上差多少（）

一球形電容器，在外球殼半徑b及內(nèi)外導(dǎo)體間的電勢(shì)差U維持恒定的條件下，內(nèi)球半徑a為多大時(shí)才能使內(nèi)球表面附近的電場(chǎng)強(qiáng)度最?。坎⑶蟪鲞@個(gè)最小電場(chǎng)的大小。

關(guān)于概率波的統(tǒng)計(jì)解釋是：在某一時(shí)刻，在空間某一地點(diǎn)，粒子出現(xiàn)的概率正比于該時(shí)刻、該地點(diǎn)的波函數(shù)。

光在真空中的波長(zhǎng)為λ，在折射率為n的介質(zhì)中的光速為v，這種光的頻率為（）。

信息技術(shù)的三大支柱是（）。

如圖所示，用白光垂直照射厚度d=400nm的薄膜，若薄膜的折射率為n2=1.40，且n1>n2>n3，則反射光中（）nm，波長(zhǎng)的可見(jiàn)光得到加強(qiáng)，透射光中（）nm和（）nm可見(jiàn)光得到加強(qiáng)。

在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場(chǎng)，如圖所示，B的大小以速率dB/dt變化。在磁場(chǎng)中有A、B兩點(diǎn)，其間可放直導(dǎo)線和彎曲的導(dǎo)線AB，則（）

可見(jiàn)光的平均波長(zhǎng)大約為500nm，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，以此波長(zhǎng)為邊長(zhǎng)的立方體內(nèi)有多少個(gè)分子？

折射球面的物、象方折射率分別為n和n′，若物、象距分別為s和s′，系統(tǒng)的縱向放大率為（）。