電子技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2020.04.14)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問答題 試分析題圖所示時(shí)序電路的邏輯功能，寫出電路的激勵(lì)方程、狀態(tài)轉(zhuǎn)移方程和輸出方程，畫出狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖，說明電路是否具有自啟動(dòng)特性。

2.問答題 電路如圖所示，設(shè)U_i=10V，R=10kΩ。若直流電源U_i變化±1V時(shí)，問相應(yīng)的輸出電壓U_o將如何變化？

3.問答題一線圈接在120V的直流電源上，流過的電流為20A，若接在220V，50HZ的交流電源上，流過的電流為22A，求線圈的電阻R和電感L。

4.判斷題在二極管的半波整流電路中，加電容C濾波后，二極管承受的最高反向電壓值與不加電容濾波時(shí)一樣。

5.問答題 電路如圖所示，穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓VZ=8V，限流電阻R=3kΩ，設(shè)vI=vi=15sinωtV，試畫出vo的波形。

參考答案：0vI≥Vz時(shí)，DZ反向擊穿，vo=8V；
-0.7VvI≤-0.7V時(shí)，DZ正向?qū)?，vo=-0...

6 在本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體，加入（）元素可形成P型半導(dǎo)體。

7.判斷題若放大電路的負(fù)載固定，為使其電壓增益穩(wěn)定，可以引入電壓負(fù)反饋，也可以引入電流負(fù)反饋。

8.填空題場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管相比較，其輸入電阻；Nf（）；溫度穩(wěn)定性（）；飽和壓降（）；放大能力（）；頻率特性（）；輸出功率（）。

參考答案：高；??；大；弱；差；小

9.問答題已知P溝道耗盡型MOSFET的參數(shù)為K_P＝0.2mA／V²，V_P＝0.5V，i_D＝－0.5mA（假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極）。試求此時(shí)的預(yù)夾斷點(diǎn)柵源電壓v_GS和漏源電壓v_DS等于多少？

10.判斷題反相比例運(yùn)算器的輸入信號(hào)與其輸出信號(hào)反相。