問答題

【案例分析題】室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判斷金屬-半導體接觸形成阻擋層還是反阻擋層。

答案：形成電子阻擋層。

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【案例分析題】室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。試畫出理想情況下金屬-半導體接觸的能帶圖，并標明半導體表面勢V_S的數(shù)值。

答案：

【【案例分析題】】室溫下，施主濃度為1.0×10¹⁶cm^-3的n型硅Si與鋁Al形成金屬與半導體接觸，Al的功函數(shù)為4.30eV，Si的電子親和能為4.05eV。已知，Nc=10¹⁹cm^-3，k₀T=0.026eV，ln1000=6.9。判斷金屬-半導體接觸形成阻擋層還是反阻擋層。

答案：形成電子阻擋層。